年度83
論文名稱High-pressure effects in the layered semiconductor germanium selenide
全部作者Hseuh, H. C.; H. Vass; S. J. Clark; G. J. Ackland; J. Crain
卷數Phys. Rev. B 51(23), pp.16750-16760
使用語言 英文
備註期刊論文